Toshiba Semiconductor and Storage - RN1112ACT(TPL3)

KEY Part #: K6527845

[2696पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    RN1112ACT(TPL3)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT(TPL3) electronic components. RN1112ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1112ACT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1112ACT(TPL3) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : RN1112ACT(TPL3)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Active
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN - Pre-Biased
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 80mA
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
    प्रतिरोधक - बेस (R1) : 22 kOhms
    प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : -
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 120 @ 1mA, 5V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 150mV @ 250µA, 5mA
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : -
    पावर - अधिकतम : 100mW
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : SC-101, SOT-883
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : CST3

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