Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM11-800HE3/97

KEY Part #: K6447682

[7233पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    BYM11-800HE3/97
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM11-800HE3/97 electronic components. BYM11-800HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM11-800HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYM11-800HE3/97 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : BYM11-800HE3/97
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
    श्रृंखला : SUPERECTIFIER®
    भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
    डायोड प्रकार : Standard
    भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 800V
    वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 1A
    गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    उल्टो रिकभरी समय (trr) : 500ns
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 800V
    Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : DO-213AB, MELF (Glass)
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-213AB
    अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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