वर्णन :
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
टेक्नोलोजी :
GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
60A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 20mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2300pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Die