Texas Instruments - CSD23285F5T

KEY Part #: K6417040

CSD23285F5T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [356136पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10851
  • 250 pcs$0.10797
  • 1,250 pcs$0.05592

भाग संख्या:
CSD23285F5T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD23285F5T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD23285F5T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
श्रृंखला : FemtoFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5.4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.2nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 628pF @ 6V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-PICOSTAR
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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