वर्णन :
MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
4000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
60 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
78nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2530pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
160W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ISOPLUS i4-PAC™
प्याकेज / केस :
i4-Pac™-5 (3 Leads)