Toshiba Semiconductor and Storage - TK8R2A06PL,S4X

KEY Part #: K6398936

TK8R2A06PL,S4X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [58817पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.72749
  • 50 pcs$0.58333
  • 100 pcs$0.51042
  • 500 pcs$0.39585
  • 1,000 pcs$0.29562

भाग संख्या:
TK8R2A06PL,S4X
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK8R2A06PL,S4X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK8R2A06PL,S4X
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
श्रृंखला : U-MOSIX-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 300µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 28.4nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1990pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 36W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220SIS
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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