Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF04FPPBF

KEY Part #: K6445484

VS-10ETF04FPPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2091पीसी स्टक]

  • 1,000 pcs$0.57418

भाग संख्या:
VS-10ETF04FPPBF
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF04FPPBF electronic components. VS-10ETF04FPPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF04FPPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF04FPPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-10ETF04FPPBF
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 400V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 10A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 200ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : -
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2 Full Pack
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-2 Full Pack
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.