Taiwan Semiconductor Corporation - DBL106G C1G

KEY Part #: K6540450

DBL106G C1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [198981पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18588

भाग संख्या:
DBL106G C1G
निर्माता:
Taiwan Semiconductor Corporation
विस्तृत विवरण:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation DBL106G C1G electronic components. DBL106G C1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DBL106G C1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DBL106G C1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DBL106G C1G
निर्माता : Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Single Phase
टेक्नोलोजी : Standard
भोल्टेज - पीक रिभर्स (अधिकतम) : 800V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 15A
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 2µA @ 800V
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : 4-DIP (0.300", 7.62mm)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DBL

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif