IXYS - IXFX210N30X3

KEY Part #: K6397765

IXFX210N30X3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4108पीसी स्टक]

  • 1 pcs$10.54471

भाग संख्या:
IXFX210N30X3
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX210N30X3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFX210N30X3
निर्माता : IXYS
वर्णन : 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
श्रृंखला : HiPerFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 300V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 210A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 8mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 375nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 24.2nF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PLUS247™-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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