CRY82(TE85L,Q,M) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [10148पीसी स्टक]
- 3,000 pcs$0.06682
- भाग संख्या:
- CRY82(TE85L,Q,M)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- DIODE ZENER 8.2V 700MW SFLAT.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CRY82(TE85L,Q,M) electronic components. CRY82(TE85L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CRY82(TE85L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CRY82(TE85L,Q,M) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
CRY82(TE85L,Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
DIODE ZENER 8.2V 700MW SFLAT
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
भोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz) :
8.2V
सहनशीलता :
±10%
पावर - अधिकतम :
700mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt) :
30 Ohms
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 4.9V
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1V @ 200mA
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOD-123F
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
S-FLAT (1.6x3.5)
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