ON Semiconductor - 1HN04CH-TL-W

KEY Part #: K6393438

1HN04CH-TL-W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [457093पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09827
  • 3,000 pcs$0.09778

भाग संख्या:
1HN04CH-TL-W
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1HN04CH-TL-W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1HN04CH-TL-W
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 270mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8 Ohm @ 140mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.6V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.9nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 15pF @ 20V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-CPH
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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