निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
200 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
11nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
300pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251AA
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA