Vishay Semiconductor Diodes Division - S2DHE3_A/I

KEY Part #: K6426996

S2DHE3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [833970पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04435
  • 6,400 pcs$0.04055

भाग संख्या:
S2DHE3_A/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA. Rectifiers 1.5A, 200V, SMB GPP, STD, SM RECT
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S2DHE3_A/I electronic components. S2DHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2DHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2DHE3_A/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S2DHE3_A/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.15V @ 1.5A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 2µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AA, SMB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AA (SMB)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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