IXYS - VBE5512N07

KEY Part #: K6541258

VBE5512N07 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5870पीसी स्टक]

  • 1 pcs$7.40747
  • 25 pcs$7.37062

भाग संख्या:
VBE5512N07
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 59A ECOPAC1.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBE5512N07 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VBE5512N07
निर्माता : IXYS
वर्णन : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 59A ECOPAC1
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Single Phase
टेक्नोलोजी : Standard
भोल्टेज - पीक रिभर्स (अधिकतम) : 1.2kV
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 59A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.71V @ 30A
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 250µA @ 1200V
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : ECO-PAC1
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ECO-PAC1

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • TB8S-G

    Comchip Technology

    BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A

  • GBU8D-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated

  • KBP08ML-6747E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

  • KBP08M-9E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

  • KBP08M-6E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

  • KBP06ML-6161E4/72

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM.