भाग संख्या :
BSC320N20NS3GATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
36A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 90µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
29nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2350pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TDSON-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN