Toshiba Semiconductor and Storage - RN2105ACT(TPL3)

KEY Part #: K6528231

RN2105ACT(TPL3) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1795726पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02070
  • 10,000 pcs$0.02060

भाग संख्या:
RN2105ACT(TPL3)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3) electronic components. RN2105ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2105ACT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2105ACT(TPL3) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RN2105ACT(TPL3)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 80mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 2.2 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 47 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 150mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : -
पावर - अधिकतम : 100mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SC-101, SOT-883
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : CST3

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