Vishay Semiconductor Diodes Division - S2M-E3/5BT

KEY Part #: K6456326

S2M-E3/5BT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1015433पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03643
  • 3,200 pcs$0.03115
  • 6,400 pcs$0.02803
  • 9,600 pcs$0.02492
  • 32,000 pcs$0.02336
  • 80,000 pcs$0.02076

भाग संख्या:
S2M-E3/5BT
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2M-E3/5BT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S2M-E3/5BT
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1000V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.15V @ 1.5A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 2µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AA, SMB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AA (SMB)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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