SIHH120N60E-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [29188पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.41199
- भाग संख्या:
- SIHH120N60E-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHH120N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH120N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH120N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHH120N60E-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIHH120N60E-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8
श्रृंखला :
E
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
24A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1600pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
156W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 8 x 8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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