निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
भाग स्थिति :
Not For New Designs
ट्रान्जिस्टर प्रकार :
NPN - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) :
30mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) :
50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) :
22 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) :
22 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce :
56 @ 5mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी :
300mV @ 500µA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) :
500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण :
250MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
UMT3F