FCPF1300N80Z मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [43906पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.89055
- 1,000 pcs$0.44680
- भाग संख्या:
- FCPF1300N80Z
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 800V 4A TO220F.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FCPF1300N80Z electronic components. FCPF1300N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF1300N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCPF1300N80Z उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FCPF1300N80Z
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
श्रृंखला :
SuperFET® II
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 400µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
880pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
24W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220F
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3