Vishay Semiconductor Diodes Division - BZG05B4V7-E3-TR3

KEY Part #: K6503597

[10806पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    BZG05B4V7-E3-TR3
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZG05B4V7-E3-TR3 electronic components. BZG05B4V7-E3-TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZG05B4V7-E3-TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BZG05B4V7-E3-TR3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : BZG05B4V7-E3-TR3
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    भोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz) : 4.7V
    सहनशीलता : ±1.91%
    पावर - अधिकतम : 1.25W
    प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt) : 13 Ohms
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 3µA @ 1V
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 200mA
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC

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      Vishay Semiconductor Diodes Division

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