Toshiba Semiconductor and Storage - TK31E60X,S1X

KEY Part #: K6416745

TK31E60X,S1X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [18018पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.51640
  • 50 pcs$2.02220
  • 100 pcs$1.84248
  • 500 pcs$1.49195
  • 1,000 pcs$1.25827

भाग संख्या:
TK31E60X,S1X
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31E60X,S1X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK31E60X,S1X
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
श्रृंखला : DTMOSIV-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 30.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 1.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 230W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220
प्याकेज / केस : TO-220-3

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