IPT111N20NFDATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [22406पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.83937
- 2,000 pcs$1.68749
- भाग संख्या:
- IPT111N20NFDATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPT111N20NFDATMA1 electronic components. IPT111N20NFDATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT111N20NFDATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPT111N20NFDATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPT111N20NFDATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
96A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 267µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7000pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
375W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-HSOF-8-1
प्याकेज / केस :
8-PowerSFN
ताजा समाचारहरू
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- ZVP2110ASTOA
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- SPB80N06S2-07
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