Infineon Technologies - AUIRFSA8409-7P

KEY Part #: K6400866

AUIRFSA8409-7P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [14796पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$2.03736
  • 100 pcs$1.67056
  • 500 pcs$1.35273
  • 1,000 pcs$1.08235

भाग संख्या:
AUIRFSA8409-7P
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET NCH 40V 523A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFSA8409-7P उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : AUIRFSA8409-7P
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET NCH 40V 523A D2PAK
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 523A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 0.69 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 460nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 13975pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 375W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK (7-Lead)
प्याकेज / केस : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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