भाग संख्या :
SI8425DB-T1-E1
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
-
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
23 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
110nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2800pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
4-WLCSP (1.6x1.6)
प्याकेज / केस :
4-UFBGA, WLCSP