TK7A90E,S4X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [55337पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.77767
- 50 pcs$0.62782
- 100 pcs$0.56502
- 500 pcs$0.43945
- 1,000 pcs$0.34443
- भाग संख्या:
- TK7A90E,S4X
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 900V TO220SIS.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E,S4X electronic components. TK7A90E,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7A90E,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK7A90E,S4X उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK7A90E,S4X
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
श्रृंखला :
π-MOSVIII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
900V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 700µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1350pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
45W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220SIS
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
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- IRL520
- PMN23UN,165
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