निर्माता :
Texas Instruments
वर्णन :
20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
76 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.05V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
1.33nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
385pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
3-LGA (0.73x0.64)