[1131पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRF7665S2TR1PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7665S2TR1PBF electronic components. IRF7665S2TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7665S2TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7665S2TR1PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF7665S2TR1PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
515pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.4W (Ta), 30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DIRECTFET SB
प्याकेज / केस :
DirectFET™ Isometric SB
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
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