Infineon Technologies - IRLHM620TRPBF

KEY Part #: K6420432

IRLHM620TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [194382पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19028
  • 4,000 pcs$0.18126

भाग संख्या:
IRLHM620TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLHM620TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRLHM620TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 26A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.1V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 78nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3620pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.7W (Ta), 37W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PQFN (3x3)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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