Comchip Technology - CDBDSC10650-G

KEY Part #: K6441607

CDBDSC10650-G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [19897पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.07129

भाग संख्या:
CDBDSC10650-G
निर्माता:
Comchip Technology
विस्तृत विवरण:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC10650-G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CDBDSC10650-G
निर्माता : Comchip Technology
वर्णन : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 650V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 33A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.7V @ 10A
गति : No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : 690pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-PAK (TO-252)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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