Infineon Technologies - SPW55N80C3FKSA1

KEY Part #: K6398168

SPW55N80C3FKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5131पीसी स्टक]

  • 1 pcs$6.64576
  • 10 pcs$6.04112
  • 100 pcs$5.13512
  • 500 pcs$4.37994

भाग संख्या:
SPW55N80C3FKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPW55N80C3FKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SPW55N80C3FKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
श्रृंखला : CoolMOS™ C3
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 54.9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 85 mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 3.3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 288nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7520pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO247-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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