Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16DT-E3/45

KEY Part #: K6455874

FESB16DT-E3/45 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [52836पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.71913
  • 10 pcs$0.64722
  • 25 pcs$0.61076
  • 100 pcs$0.52037
  • 250 pcs$0.48861
  • 500 pcs$0.42753
  • 1,000 pcs$0.33510
  • 2,500 pcs$0.31199
  • 5,000 pcs$0.30813

भाग संख्या:
FESB16DT-E3/45
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16DT-E3/45 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FESB16DT-E3/45
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 16A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 975mV @ 16A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 175pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 150°C

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