BYM07-150HE3_A/H मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [782736पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.04725
- भाग संख्या:
- BYM07-150HE3_A/H
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-150HE3_A/H electronic components. BYM07-150HE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-150HE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM07-150HE3_A/H उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BYM07-150HE3_A/H
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
150V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
500mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.25V @ 500mA
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
5µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
DO-213AA (Glass)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DO-213AA (GL34)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-65°C ~ 175°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
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RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
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RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
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BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
तातो पार्ट्स
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08