भाग संख्या :
ISL9R8120S3ST
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
3.3V @ 8A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
300ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
30pF @ 10V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C