Vishay Semiconductor Diodes Division - SS2FH10-M3/I

KEY Part #: K6433504

SS2FH10-M3/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1060813पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03679
  • 20,000 pcs$0.03661

भाग संख्या:
SS2FH10-M3/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 50A
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS2FH10-M3/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SS2FH10-M3/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 2A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 860mV @ 2A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-219AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-219AB (SMF)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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