IXYS - IXKF40N60SCD1

KEY Part #: K6396247

IXKF40N60SCD1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5705पीसी स्टक]

  • 1 pcs$8.39507
  • 25 pcs$8.35330

भाग संख्या:
IXKF40N60SCD1
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXKF40N60SCD1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXKF40N60SCD1
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 41A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 70 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ISOPLUS i4-PAC™
प्याकेज / केस : i4-Pac™-5 (3 Leads)

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