Vishay Semiconductor Diodes Division - G2SBA80-E3/45

KEY Part #: K6541745

G2SBA80-E3/45 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12274पीसी स्टक]

  • 2,000 pcs$0.15692

भाग संख्या:
G2SBA80-E3/45
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G2SBA80-E3/45 electronic components. G2SBA80-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G2SBA80-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

G2SBA80-E3/45 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : G2SBA80-E3/45
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड प्रकार : Single Phase
टेक्नोलोजी : Standard
भोल्टेज - पीक रिभर्स (अधिकतम) : 800V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 750mA
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 800V
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : 4-SIP, GBL
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : GBL

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