Infineon Technologies - IRLI520NPBF

KEY Part #: K6415873

IRLI520NPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [82036पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.40388
  • 100 pcs$0.30185
  • 500 pcs$0.23409
  • 1,000 pcs$0.18481

भाग संख्या:
IRLI520NPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLI520NPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRLI520NPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8.1A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 440pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB Full-Pak
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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  • IRLI520NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.