भाग संख्या :
IXFD80N10Q-8XQ
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
-
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
-
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Die