2N7000-D26Z मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1178592पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.03138
- भाग संख्या:
- 2N7000-D26Z
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor 2N7000-D26Z electronic components. 2N7000-D26Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7000-D26Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2N7000-D26Z उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
2N7000-D26Z
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
200mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
50pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
400mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-92-3
प्याकेज / केस :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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