ON Semiconductor - NCP5111DR2G

KEY Part #: K1225747

NCP5111DR2G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [232104पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.17807
  • 2,500 pcs$0.17718
  • 5,000 pcs$0.16832
  • 12,500 pcs$0.16200
  • 25,000 pcs$0.15693

भाग संख्या:
NCP5111DR2G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC. Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: इन्टरफेस - आवाज रेकर्ड र प्लेब्याक, विशेष आईसीहरू, तर्क - फ्लिप फ्लप, PMIC - प्रदर्शन ड्राइभरहरू, ईन्टरफेस - एनालग स्विच, मल्टिप्लेक्सर्स, डेमल्टिप्, ईन्टरफेस - सिग्नल बफरहरू, रिपीटरहरू, स्प्लिटरहरू, PMIC - ब्याट्री चार्जर and मेमोरी - एफपीजीए को लागी विन्यास proms ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NCP5111DR2G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NCP5111DR2G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ड्राइभ कन्फिगरेसन : Half-Bridge
च्यानल प्रकार : Synchronous
चालकहरूको संख्या : 2
गेट प्रकार : IGBT, N-Channel MOSFET
भोल्टेज - आपूर्ति : 10V ~ 20V
तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : 0.8V, 2.3V
वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : 250mA, 500mA
इनपुट प्रकार : Non-Inverting
उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : 600V
उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 85ns, 35ns
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOIC

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