Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TA60CSR-M3

KEY Part #: K6471257

VS-HFA08TA60CSR-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [155866पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.23730

भाग संख्या:
VS-HFA08TA60CSR-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V 8A IF (TO-263AB) 25A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TA60CSR-M3 electronic components. VS-HFA08TA60CSR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TA60CSR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TA60CSR-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-HFA08TA60CSR-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK
श्रृंखला : HEXFRED®
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 4A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.2V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 42ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 3µA @ 600V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB (D²PAK)

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