Infineon Technologies - BSP297H6327XTSA1

KEY Part #: K6420654

BSP297H6327XTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [225689पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.16389
  • 1,000 pcs$0.13031

भाग संख्या:
BSP297H6327XTSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP297H6327XTSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSP297H6327XTSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
श्रृंखला : SIPMOS®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 660mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.8V @ 400µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 16.1nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 357pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-SOT223-4
प्याकेज / केस : TO-261-4, TO-261AA

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