निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 800V 5A P600
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
800V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.1V @ 5A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
200ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
300pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
प्याकेज / केस :
P600, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
P600
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-50°C ~ 150°C