भाग संख्या :
SI3853DV-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
500mV @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
FET फिचर :
Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
830mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-TSOP
प्याकेज / केस :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6