STMicroelectronics - STD15N60M2-EP

KEY Part #: K6418683

STD15N60M2-EP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [73080पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.53504
  • 2,500 pcs$0.47435

भाग संख्या:
STD15N60M2-EP
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in STMicroelectronics STD15N60M2-EP electronic components. STD15N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD15N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD15N60M2-EP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STD15N60M2-EP
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
श्रृंखला : MDmesh™ M2-EP
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 378 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 590pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 110W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DPAK
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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