Toshiba Semiconductor and Storage - TPHR6503PL,L1Q

KEY Part #: K6409546

TPHR6503PL,L1Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [117194पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.32398
  • 5,000 pcs$0.32237

भाग संख्या:
TPHR6503PL,L1Q
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPHR6503PL,L1Q उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPHR6503PL,L1Q
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
श्रृंखला : U-MOSIX-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 150A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 0.65 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 10000pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 960mW (Ta), 170W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 175°C
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOP Advance (5x5)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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