FCD850N80Z मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [85917पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.45510
- 2,500 pcs$0.43461
- भाग संख्या:
- FCD850N80Z
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FCD850N80Z electronic components. FCD850N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD850N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD850N80Z उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FCD850N80Z
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
श्रृंखला :
SuperFET® II
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 600µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1315pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
75W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DPAK
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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