Infineon Technologies - SPB35N10 G

KEY Part #: K6409745

[7953पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SPB35N10 G
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies SPB35N10 G electronic components. SPB35N10 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB35N10 G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB35N10 G उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SPB35N10 G
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
    श्रृंखला : SIPMOS®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 35A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 44 mOhm @ 26.4A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 83µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1570pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO263-3-2
    प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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