Microsemi Corporation - APTC90DAM60T1G

KEY Part #: K6403852

APTC90DAM60T1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2215पीसी स्टक]

  • 100 pcs$21.96250

भाग संख्या:
APTC90DAM60T1G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC90DAM60T1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTC90DAM60T1G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET N-CH 900V 59A SP1
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 900V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 59A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 6mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 13600pF @ 100V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 462W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP1
प्याकेज / केस : SP1

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